Yapon alimlərdən AI çipləri üçün inqilabi kəşf

Yaponiyanın Tokyo Metropolitan Universitetindən bir qrup alim, AI texnologiyasının gələcəyini dəyişdirə biləcək yeni bir atom qatlı material hazırlayıb. Bu material, oksidləşmə zamanı müqavimətini beş mərtəbəli dərəcədə azaldır və bu, oxşar materiallarla müqayisədə yüz dəfədən çox üstünlük təşkil edir.

Yeni materialın sirri: qatlı perovskit strukturu

Tədqiqat qrupu, Sr3Cr2O7−δ adlı qatlı perovskit tipli materialın incə kristal filmini hazırlamaq üçün impuls lazer depozisiya (PLD) texnologiyasından istifadə edib. Sadəcə havada qızdırılaraq oksidləşdirilən bu film, müqavimətini inanılmaz dərəcədə azaldır. Bu dəyişiklik, oxşar üç ölçülü SrCrO3 materialında müşahidə edilən müqavimət azalmalarından yüz dəfədən çoxdur.

Struktur və oksidləşmə: yeni dizayn prinsipi

Alimlər, bu fenomenin səbəbini anlamaq üçün materialın kristal strukturunu təhlil ediblər. Film, oksigen atomları ilə dolmalı olan, lakin boş qalan oksigen boşluqlarına malikdir. Havada qızdırılaraq oksigen filmin içərisinə daxil olur və strukturda dəyişikliklər yaradır. Eyni zamanda, xrom atomlarının oksidləşmə vəziyyəti də dəyişir. Maraqlıdır ki, bu struktur dəyişiklikləri qatlı film və onun üç ölçülü analoqu arasında fərqlidir.

Bu sinerji, keçirici elektronların materialdan daha asan keçməsinə şərait yaradır. Alimlər, bu yanaşmanın memristorlar və enerji səmərəli çiplər üçün yeni materialların hazırlanmasında mühüm rol oynayacağını ümid edirlər.

İnsan təsiri: AI çiplərinin gələcəyi

Bu kəşf, AI texnologiyasına əsaslanan cihazların daha az enerji sərf etməsinə və daha səmərəli işləməsinə imkan yarada bilər. Yeni texnologiya, həm sənaye, həm də gündəlik həyat üçün daha güclü və qənaətcil AI sistemlərinin inkişafına yol açır.

Tədqiqat haqqında daha ətraflı məlumat Chemistry of Materials jurnalında dərc olunub.