Ultra Yüksək Dəqiqlikli Kvant Nöqtə Texnologiyası İnkişaf Etdirildi

Daegu Gyeongbuk Elm və Texnologiya İnstitutunun (DGIST) alimləri ultra yüksək dəqiqlikli kvant nöqtə displeyləri üçün yeni bir texnologiya hazırlayıblar. Bu texnologiya işıqdan istifadə edərək naxışlama prosesini həyata keçirir və fotoresist istifadəsini tamamilə aradan qaldırır. Alimlər həmçinin yüksək performanslı QLED cihazlarının istehsalı üçün vacib olan cross-linker seçimi üçün təlimatlar təqdim ediblər.

Kvant Nöqtələrin Xüsusiyyətləri və Mövcud Məhdudiyyətlər

Kvant nöqtələr, insan saçının qalınlığının yüz min dəfə az olan ultra incə yarımkeçirici hissəciklərdir. Onların emissiya rəngi ölçüləri ilə sərbəst şəkildə tənzimlənə bilər və bu, onları üstün rəng təkrarı ilə gələcək displey materialına çevirir. Lakin, ənənəvi fotoresist əsaslı naxışlama prosesləri mürəkkəb prosedurlar, emissiya performansının azalması və naxış deformasiyası kimi məhdudiyyətlərlə üzləşir.

Digər texnologiyalar, o cümlədən inkjet çap və mikro-kontakt çapı da dəqiqlik və rezolyusiya baxımından məhdudiyyətlərə malikdir.

Yeni Diazirin Əsaslı Cross-Linker TDBA

Bu məhdudiyyətlərin həlli üçün tədqiqat qrupu diazirin əsaslı TDBA adlı cross-linker təqdim etdi. TDBA ultrabənövşəyi işıqla (i-line, 365 nm) reaksiya verir və kvant nöqtələrinin səthinə birbaşa bağlana bilən "karboksilik turşu funksional qrupu" ilə işığa həssas diazirin strukturunu birləşdirir. İşıqla bir dəfə məruz qalmaqla, TDBA kvant nöqtələrinə kimyəvi bağlanaraq ultra incə naxışlar yaradır. Bu yanaşma ilə tədqiqatçılar 2 μm (6350 DPI) rezolyusiyada ultra yüksək dəqiqlikli naxışlama əldə etdilər.

Əlavə İşləmə və QLED Performansı

Naxışlama prosesindən sonra tədqiqatçılar PETMP adlı tio əsaslı birləşmədən istifadə edərək kvant nöqtələrindəki səth qüsurlarını passivləşdirdilər. Bu, fotolüminessensiya kvant məhsuldarlığını (PLQY) daha da artırdı. Bu texnologiyadan istifadə edilən QLED cihazları maksimum 10.3% xarici effektivlik və 99369 cd/m² maksimum parlaqlıq göstərdi.

Molekulyar Strukturun Təsiri

Tədqiqatçılar həmçinin cross-linkerlərin molekulyar strukturunun kvant nöqtələrin optik və elektrik xüsusiyyətlərinə necə təsir etdiyini araşdırdılar. Sulfur (S) atomları ilə zəngin olan TBBT ilə BPDT-ni müqayisə edərək, BPDT-nin daha yüksək keçiricilik göstərdiyini və QLED performansını yaxşılaşdırmaq üçün daha üstün olduğunu müəyyən etdilər. Bu kəşf yüksək dəqiqlikli, yüksək performanslı kvant nöqtə displeylərinin istehsalı üçün material seçimi sahəsində mühüm təlimat kimi qəbul edilir.

Gələcək Displey Texnologiyaları Üçün Əhəmiyyəti

Professor Jong-Soo Lee qeyd etdi ki, bu tədqiqat yalnız rezolyusiyanı artırmır, həm də kvant nöqtələrin optik və elektrik xüsusiyyətlərini qoruyaraq sabit istehsal metodu təklif edir. Bu, AR və VR kimi növbəti nəsil displeylərin kommersiyalaşdırılmasını sürətləndirə bilər.

Daha ətraflı məlumat üçün: Jung-Min Kim və başqaları, "Cross-Linkerlərin Konjuge Strukturunun Naxışlanmış QLED-lərdə Rolu", Nano Letters (2025). DOI: 10.1021/acs.nanolett.5c01926.