Gallium nitride (GaN) texnologiyasında yeni nailiyyətlər, yarımkeçirici sənayesində diqqət mərkəzinə çevrilib. Pennsylvania Dövlət Universitetindən Rongming Chu və komandası 800 °C-yə qədər işləyə bilən tranzistorlar hazırlayıb.

Yarımkeçiricilərin yeni tətbiqləri

GaN tranzistorlarının yüksək temperatur müqaviməti, xüsusilə aviasiya və kosmos kimi ekstremal şəraitdə istifadə üçün uyğunluğunu artırır. Ənənəvi silisium əsaslı yarımkeçiricilər bu cür şəraitdə tez sıradan çıxa bilər. Yeni texnologiya, istilik təsirinin yüksək olduğu avtomobil mühərrikləri və sənaye maşınları kimi sahələrdə də tətbiq edilə bilər.

Tədqiqatın detalları

Chu və onun komandası, GaN materialının strukturunu təkmilləşdirərək, bu cür yüksək temperatur müqavimətini əldə edib. Bu tranzistorlar, həm də enerji səmərəliliyini artırır və istilik itkilərini minimuma endirir.

Texnologiyanın gələcəyi

Yeni texnologiyanın ticarət istifadəsi, yarımkeçirici bazarına böyük təsir göstərə bilər. Bu, həm də ABŞ və Çin arasında davam edən yarımkeçirici rəqabətində strateji üstünlük təmin edə bilər. Hər iki ölkə, GaN texnologiyasını inkişaf etdirmək üçün böyük sərmayələr yatırır.

GaN tranzistorlarının inkişafı, gələcəkdə daha geniş tətbiq sahələri ilə sənayeləri dəyişdirə bilər. Bu texnologiyanın tədqiqatı və kommersiyalaşdırılması istiqamətində daha çox irəliləyiş gözlənilir.