Intel-in Z-Angle Memory texnologiyası yaddaş sahəsində inqilab yaradır – Nəyi dəyişəcək?

Yeni yaddaş texnologiyası: Z-Angle Memory

Intel və Saimemory şirkətləri 11 fevral 2026-cı ildə Intel Connection Japan 2026 tədbirində Z-Angle Memory (ZAM) adlı yeni yaddaş prototipini təqdim ediblər. Bu texnologiya yüksək performanslı hesablama sahəsində HBM yaddaşlarına alternativ kimi təqdim olunur.

Diaqonal kontaktlar, effektiv istilik və enerji qənaəti

ZAM yaddaşının əsas fərqi kontaktların diaqonal yerləşməsidir. Ənənəvi HBM yaddaşlarında kontaktlar şaquli yerləşir, lakin ZAM-da onlar diaqonal şəkildə düzülür. Bu, istilik ötürülməsini yaxşılaşdırır və yüksək sıxlıqlı yaddaş modulları üçün kritik olan istilik idarəsini asanlaşdırır. Nəticədə, enerji sərfiyyatı 40-50% azalır ki, bu da həm performansı artırır, həm də cihazların daha sərin işləməsini təmin edir.

Tutum və istehsal sadəliyi

Yeni interkonnekt strukturu istehsal prosesini sadələşdirir. ZAM çiplərinin tutumu 512 GB-a qədər yüksələ bilər ki, bu da böyük verilənlər və mürəkkəb hesablama işləri üçün geniş imkanlar yaradır. Intel layihədə strateji investor və əsas qərar iştirakçısıdır, lakin şirkətin əməliyyat rolu hələ tam açıqlanmayıb.

Gələcək perspektivləri və bazar təsiri

Texnologiya hələ erkən inkişaf mərhələsindədir və geniş istehsal üçün əlavə işlər tələb olunur. Ekspertlər ZAM-ın yaxın gələcəkdə yüksək performanslı yaddaş bazarında struktur dəyişiklikləri yaradacağını düşünmürlər. Lakin enerji qənaəti və performans artımı ilə bu texnologiya yüksək performanslı hesablama sahəsində yeni standartlar müəyyən edə bilər.

Intel və Saimemory-nin bu addımı yaddaş texnologiyalarında yeni imkanlar açır. Gələcəkdə Z-Angle Memory-nin necə inkişaf edəcəyi və bazara təsiri maraqla izlənəcək.